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光刻機(jī)是芯片制造核心設(shè)備，對(duì)制程升級(jí)發(fā)揮關(guān)鍵作用

在芯片制造過(guò)程中，光刻工藝是最關(guān)鍵的一步，能夠?qū)D案從光掩模高精度地轉(zhuǎn)移到襯底（通常是硅片）上。芯片工藝升級(jí)的主要目標(biāo)之一是在半導(dǎo)體器件上實(shí)現(xiàn)更小的特征尺寸，具有先進(jìn)技術(shù)的光刻機(jī)，如極紫外（EUV）光刻，允許更短的光波長(zhǎng)，從而能夠創(chuàng)建更小的圖案并實(shí)現(xiàn)更高的分辨率，對(duì)芯片制程升級(jí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。DUV光刻機(jī)通過(guò)多重曝光最高實(shí)現(xiàn)7nm制程，而波長(zhǎng)更短的EUV光刻機(jī)可以實(shí)現(xiàn)5nm及以下制程。

asml光刻機(jī)

全球光刻機(jī)市場(chǎng)超過(guò)200億美元，ASML壟斷高端市場(chǎng)：

2022年全球光刻機(jī)市場(chǎng)超過(guò)200億美元，ASML、Canon、Nikon三大巨頭壟斷了大部分市場(chǎng)份額，光刻機(jī)營(yíng)收分別達(dá)到了161億美元、20億美元、15億美元，市場(chǎng)份額分別為82%、10%、8%。在超高端的EUV光刻機(jī)上，基本上ASML處于壟斷地位。

國(guó)產(chǎn)28nmimmersion式光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破：

國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)在技術(shù)節(jié)點(diǎn)上與國(guó)際廠商相比仍有差距，其中上海微電子是國(guó)內(nèi)光刻機(jī)龍頭企業(yè)，其SSX600系列光刻機(jī)可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求，可用于8寸線或12寸線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。在之前90nm的基礎(chǔ)上，上海微電子即將量產(chǎn)28nmimmersion式光刻機(jī)，在2023年交付國(guó)產(chǎn)第一臺(tái)SSA/800-10W光刻機(jī)設(shè)備。

SMEE國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)

國(guó)內(nèi)廠商在多個(gè)光刻機(jī)零部件環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破：

全球光刻機(jī)零部件市場(chǎng)規(guī)模約124億美元，在零部件市場(chǎng)上，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)在多個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破。茂萊光學(xué)研發(fā)的DUV光學(xué)透鏡已應(yīng)用于SMEE國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)中，公司半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備光學(xué)模組供貨KLA，公司投影鏡分辨率達(dá)到30nm以下，而國(guó)外的ZEISS分辨率小于0.25nm；目前針對(duì)EUV光源，國(guó)內(nèi)也有研究機(jī)構(gòu)取得一定進(jìn)展。早在2017年，中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所的“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”獲得國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)的驗(yàn)收，從而推進(jìn)了我國(guó)對(duì)EUV的技術(shù)研發(fā)；福光股份有望為光刻機(jī)等領(lǐng)域提供高精密光學(xué)鏡頭及光學(xué)系統(tǒng)；蘇大維格向SMEE提供定位光柵部件，公司光柵尺周期精度小于1nm，且公司納米壓印技術(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先；而光學(xué)晶體方面，福晶科技可供貨LBO晶體、BBO晶體、Nd:YVO4晶體、磁光晶體；激光器方面，炬光科技提供的光源不均勻度控制在1%以下，國(guó)外FLSBA的光源不均勻度在3%~5%；晶方科技子公司控制的Anteryon為全球同時(shí)擁有混合鏡頭、晶圓級(jí)微型光學(xué)器件工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、特性材料及量產(chǎn)能力的技術(shù)創(chuàng)新公司，其產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體精密設(shè)備，目前為ASML持續(xù)供貨。奧普光電為國(guó)內(nèi)高端光柵編碼器龍頭，公司光柵編碼器（用于測(cè)量對(duì)準(zhǔn)精度）精度為1um/m，國(guó)外海德漢公司精準(zhǔn)度為3um/m。